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Recent Patents

posted Sep 10, 2015, 12:55 PM by Chang hwan Shin

 

(2015.1 ~ 현재)  
(준비중인 특허)
12. 신창환, 김문회, "...," 국내특허출원 Sep. 2015.
11. 신창환, 조재성, 조가람, 국내특허출원, August 2015.
 
(출원 및 등록 특허)
10. 신창환, 이현재, 국내특허출원, April 2015.
9. 신창환, 이교섭, "...,"  국내특허출원, Jan. 2015.
 
(2014.1 ~ 2014. 12)  [8 Patents]
8. 국내특허등록, 진공채널트랜지스터, October 2014.
7. 신창환, 이현재*, "...," 국내특허출원, Nov. 2014.
 
6. 신창환*, 조재성, ".......," 국내특허출원, Sep. 2014.
5. 신창환*, 조재성, ".......," 국내특허출원, Sep. 2014.
4. 신창환*, 남효현, "터널링 전계효과 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치 및 방법" 국내특허출원, Sep. 2014.
3. 신창환, "SRAM용 워드라인 전압 조절기" 국내특허출원, April 2014.
2. 신창환, 남효현, "3차원 구조 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치 및 방법 {APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING WORK FUNCTION VARIATION OF 3-DIMENSIONAL TRANSISTOR}," 국내특허출원, Feb. 2014. (2015.6.22등록)
1. 신창환, 남효현, "평판 트랜지스터의 일함수 분산 결정 장치 및 방법 {APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING WORK FUNCTION VARIATION OF PLANAR TRANSISTOR}," 국내특허출원, Feb. 2014. (2015.3 등록)
 
(The list prior to 2012.12)
P1) Changhwan Shin, and Tsu-Jae King Liu,
      “Notch-less six-transistor Static-Random-Access-Memory (6-T SRAM) Cell Design,” September 2010 (US patent).
P2) Changhwan Shin, and Tsu-Jae King Liu,
      “Novel six-transistor Static-Random-Access-Memory (6-T SRAM) Cell Design for high manufacturability and robustness to failure,” February 2011 (US patent).
P3) Changhwan Shin, and Liane Gunnison,
      “Programmable and Revivable Static-Random-Access-Memory (6-T SRAM) Cell Design at 20nm technology node and beyond, with high manufacturability,” September 2011 (US patent).
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